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IRF9332PbF
100
T J = 150°C
1000
100
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
100μsec
10
T J = 25°C
10
1
DC
1msec
1.0
VGS = 0V
0.1
0.01
T A = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
10msec
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
0.01
0.1
1
10
100
1000
-V SD, Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
10
8
6
-VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
2.4
2.2
2.0
1.8
4
1.6
ID = -25μA
1.4
2
1.2
0
1.0
25
50
75
100
125
150
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T A , Ambient Temperature (°C)
Fig 9. Maximum Drain Current vs.
Ambient Temperature
100
D = 0.50
T J , Temperature ( °C )
Fig 10. Threshold Voltage vs. Temperature
10
1
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
0.1
0.01
0.001
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthja + T A
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
4
www.irf.com
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IRF9335TRPBF 功能描述:MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 59mOhms 4.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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